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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有多叠层结构的闪存设备及其通道分离方法-CN202211397065.5在审
发明人：金慧彬;李耀翰;李浩俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：该闪存设备包括：第一存储器单元；第一存储器单元上的第二存储器单元；和第一存储器单元和第二存储器单元之间的第三存储器单元。第一存储器单元、第二存储器单元和第三存储器单元共享通道。第三存储器单元被配置为基于在第一至第k编程循环中提供的通道分离电压来阻挡第一存储器单元和第二存储器单元之间的通道共享。第三存储器单元被配置为基于在第(k+1)编程循环中提供给第三存储器单元的通道连接电压来连接第一存储器单元和第二存储器单元之间的通道共享。
具有多叠层结构闪存设备及其通道分离方法

[发明专利]具有存储的索引信息的非易失性存储器设备-CN201910875107.3在审
发明人：钱晓州;皮小燕;V·蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器设备，该存储器设备包括：具有多个非易失性存储器单元的存储器阵列、各自与多个非易失性存储器单元中的不同的非易失性存储器单元相关联的多个索引存储器单元、以及控制器。该控制器被配置为：对多个非易失性存储器单元进行擦除；将索引存储器单元中的每一个索引存储器单元设置为第一状态；以及通过以下操作将第一数据编程到存储器阵列中：读取多个索引存储器单元并且确定索引存储器单元中的第一索引存储器单元处于所述第一状态；将第一数据编程到与索引存储器单元中的第一索引存储器单元相关联的多个非易失性存储器单元中；以及将索引存储器单元中的第一索引存储器单元设置为不同于第一状态的第二状态。
具有存储索引信息非易失性存储器设备

[发明专利]半导体存储器件-CN201010284307.0有效
发明人：武田晃一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器件。根据本发明的半导体存储器件包括：第一存储器单元阵列，其中多个第一存储器单元被布置成矩阵，数据被从第一存储器单元读取或者被写入到第一存储器单元；和第二存储器单元阵列，其中多个第二存储器单元被布置成矩阵，所述第二存储器单元放大并且存储被布置在相对应的列中的多个第一存储器单元中的一个存储器单元的数据第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列被布置为在列方向上面对面。第二存储器单元的面积大于第一存储器单元的面积。第一存储器单元阵列的面积是第二存储器单元阵列的面积的两倍或者更大。
半导体存储器件

[发明专利]存储器修复方案-CN201810844311.4在审
发明人：史毅骏;李伯浩;李嘉富;池育德;陈昱霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G11C29/10 文献下载
摘要：本发明实施例涉及存储器修复方案，提供存储器装置和修复存储器的方法。第一阵列包含正常存储器单元，并且第二阵列包含修复存储器单元。所述修复存储器单元经配置以代替所述正常存储器单元使用。查找表包括存储器位单元，所述存储器位单元经配置以存储包含所述正常存储器单元的缺陷存储器单元的地址的条目集合。匹配电路经配置以评估输入存储器地址是否被存储为所述存储器位单元中的缺陷地址。所述匹配电路还经配置以基于所述评估生成用于选择所述正常存储器单元或所述修复存储器单元的选择信号。
存储器单元修复存储器存储器位单元存储器修复配置存储缺陷存储器单元存储器装置输入存储器匹配电路缺陷地址条目集合选择信号查找表评估匹配

[发明专利]使用存储器装置的权重存储-CN201980037834.0在审
发明人： M·博尼亚蒂;I·托尔托雷利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C11/54 文献下载
摘要：存储器装置可包含经配置以存储值的存储器单元。存储器单元可包含第一存储器单元(例如，侵扰存储器单元)及多个其它存储器单元(例如，受害存储器单元)。所述存储器单元可使用可基于存取操作的所述受害存储器单元的热干扰来存储模拟值。由所述侵扰存储器单元在存取操作(例如，写入操作)期间输出的热能可致使所述受害存储器单元的状态基于所述侵扰存储器单元与所述受害存储器单元中的至少一些之间的热关系而变更。在读取操作期间，可通过检测及组合所述受害存储器单元的权重来读取所述存储器单元。
使用存储器装置权重存储

[发明专利]存储器区段内经由区段独立的并行存取技术-CN202210817906.7在审
发明人： R·E·法肯索尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案针对于存储器区段内经由区段独立的并行存取技术。一种具有例如铁电存储器单元(混合式RAM HRAM单元)等存储器单元的多个区段的存储器装置可提供对所述存储器装置的独立区段内的存储器单元的同时存取。可激活第一存储器单元，且可确定第二存储器单元独立于所述第一存储器单元。如果所述第二存储器单元独立于所述第一存储器单元，那么所述第二存储器单元可在所述第一存储器单元处的操作结束之前被激活。存储器区段处的锁存硬件可锁存所述存储器区段处的地址以便允许将新地址提供到不同区段以存取所述第二存储器单元。
存储器区段经由独立并行存取技术

[发明专利]存储器区段内经由区段独立的并行存取技术-CN201780025554.9有效
发明人： R·E·法肯索尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案针对于存储器区段内经由区段独立的并行存取技术。一种具有例如铁电存储器单元(混合式RAM HRAM单元)等存储器单元的多个区段的存储器装置可提供对所述存储器装置的独立区段内的存储器单元的同时存取。可激活第一存储器单元，且可确定第二存储器单元独立于所述第一存储器单元。如果所述第二存储器单元独立于所述第一存储器单元，那么所述第二存储器单元可在所述第一存储器单元处的操作结束之前被激活。存储器区段处的锁存硬件可锁存所述存储器区段处的地址以便允许将新地址提供到不同区段以存取所述第二存储器单元。
存储器区段经由独立并行存取技术

[发明专利]测试三维存储器单元阵列的方法和存储器电路-CN202110603735.3在审
发明人：吴昭谊;吕士濂;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：一种测试三维(3D)存储器单元阵列的方法，包括将数据写入3D存储器单元阵列中的存储器单元的每个层，同时执行3D存储器单元阵列的至少第一支列中的每个存储器单元的读取操作，确定3D存储器单元阵列中的一个存储器单元是否响应于读取操作而发生故障，并响应于确定该3D存储器单元阵列中的存储器单元发生故障而将3D存储器单元阵列中的至少一个故障存储器单元替换为备用存储器单元。第一支列包括在3D存储器单元阵列的每个对应层上的存储器单元。本发明的实施例还涉及一种存储器电路。
测试三维存储器单元阵列方法电路

[发明专利]存储器电路、存储器单元以及存储器单元的操作方法-CN202110339682.9在审
发明人：王屏薇;杨智铨;洪连嵘;张峰铭;徐国修;林建隆;张瑞文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本公开涉及存储器电路、存储器单元以及存储器单元的操作方法。存储器电路包含多个存储器单元、第一位元线，第一位元线连接至该等存储器单元的第一列存储器单元、以及第二位元线，第二位元线连接至第一列存储器单元。第一列存储器单元与相邻的第二列存储器单元共用第一位元线。第一列存储器单元与第三列存储器单元共用第二位元线，第三列存储器单元与第一列存储器单元相邻且与第二列存储器单元对向。
存储器电路单元以及操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置、包括其的存储器系统及操作方法-CN201711250833.3有效
发明人：李炯珉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器系统的操作方法，该方法包括：基于从多个已擦除存储器单元中的至少一个已擦除存储器单元读取的读取数据，将至少一个已擦除存储器单元确定为不稳定存储器单元；基于待被写入不稳定存储器单元中的写入数据，将不稳定存储器单元确定为不可写入存储器单元；并且根据多个已擦除存储器单元中作为不可写入存储器单元的已擦除存储器单元的数量，禁止使用多个已擦除存储器单元。
非易失性存储器装置包括存储器系统操作方法

[发明专利]存储器装置和用于验证存储器访问的方法-CN201811208846.9有效
发明人：约埃尔·哈彻;贝恩德·迈尔;贾·奥特斯泰特;斯特芬·桑尼卡尔布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明涉及存储器装置和用于验证存储器访问的方法。根据一个实施例描述一种存储器装置，所述存储器装置具有：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有能写入的存储器单元的列和行；存储器控制装置，所述存储器控制装置配置为：发起对一行存储器单元中的第一组存储器单元进行访问；并且与对所述第一组存储器单元进行访问一起，发起对该行存储器单元中的第二组存储器单元进行读取访问，验证电路，所述验证电路配置为，基于：在对所述第二组存储器单元进行读取访问时所读取的值是否与之前由所述第二组存储器单元所存储的值一致，检查对所述第一组存储器单元的访问是否已经对存储器单元的正确的行执行。
存储器装置用于验证访问方法

[发明专利]半导体存储器器件和半导体存储器器件中定义数据的方法-CN201811233219.0有效
发明人：长濑宽和 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器器件和半导体存储器器件中定义数据的方法。提供一种能够存储多值数据同时抑制为存储器单元设置的阈值电压的增加的半导体存储器器件。根据实施例的半导体存储器器件包括多个存储器单元对，每个存储器单元对具有第一存储器单元和第二存储器单元。第一存储器单元被配置为设置至少一个阈值电压，而第二存储器单元被配置为设置多个阈值电压。存储在存储器单元对中的数据使用第二存储器单元的阈值电压和第一存储器单元的阈值电压之间的差来定义。
半导体存储器器件定义数据方法

[发明专利]存储器元件-CN200710079915.6有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提出一种存储器元件，特别涉及一种带有系带单元的存储器元件。此存储器元件包括一个第一存储器单元、一个第二存储器单元以及一个系带单元。每一个第一存储器单元以及第二存储器单元中具有至少一个P型主动区域以及至少一个N型主动区域。系带单元介于第一存储器单元与第二存储器单元之间，此系带单元具有多个P型系带连接至第一存储器单元与第二存储器单元的N型主动区域，以及具有多个N型系带连接至第一存储器单元与第二存储器单元的P型主动区域。本发明所提供的存储器元件，系带单元可形成多个晶体管，而在被连系的两存储器单元之间提供额外的绝缘，而使各个存储器单元产生较为一致的操作特性。
存储器元件

[发明专利]操作存储器单元的方法及存储器器件-CN202011532984.X在审
发明人：姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本公开的各个实施例针对一种使用无查找表(LUT)动态存储器分配过程的存储器修复的方法。提供了具有多个行和多个列的存储器单元的阵列。此外，阵列的每个存储器单元具有多个数据状态和永久状态。在阵列的行中标识一个或多个异常存储器单元，并且响应于标识的异常存储器单元，将异常存储器单元设置为永久状态。异常存储器单元包括故障存储器单元，并且在一些实施例中，包括具有少量性能的尾部存储器单元。在对行进行读取或写入操作期间，用永久状态标识一个或多个异常存储器单元，并且在排除异常存储器单元的情况下，从其余存储器单元读取数据或将数据写入其余存储器单元。本发明的实施例还涉及操作存储器单元的方法及存储器器件。
操作存储器单元方法器件

[发明专利]数据存储装置及其操作方法-CN201610369756.2有效
发明人：李载允;李炯珉;田明云 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置，其包括目标存储器单元和与目标存储器单元共用位线的一个或多个调整存储器单元，一个或多个调整存储器单元是与目标存储器单元相邻的相邻存储器单元，且非易失性存储器装置适于从其读出数据或将数据存储在其中；以及控制器，其适于基于目标存储器单元和相邻存储器单元的阈值电压调整调整存储器单元的阈值电压。
数据存储装置及其操作方法

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